发明名称 |
一种半导体器件的形成方法 |
摘要 |
一种半导体器件的形成方法,包括步骤:提供一半导体衬底,在所述半导体衬底上形成层间介电层;在所述层间介电层上形成第一光刻胶层并图形化,形成开口图形;以第一光刻胶层为掩膜,沿开口图形刻蚀至半导体衬底,形成开口;去除第一光刻胶层;在所述层间介电层上形成超低k介电层,并填充满开口;平坦化超低k介电层至露出层间介电层;在所述超低k介电层上形成第二光刻胶层,并形成沟槽或通孔图形;以第二光刻胶层为掩膜刻蚀超低k介电层,形成沟槽或通孔。本发明的半导体器件形成方法,可以减少在刻蚀、去光阻过程中对超低k介电层的损伤,从而减小超低k介电层k值发生漂移及电容发生大幅变化,提高半导体器件的稳定性和可靠性。 |
申请公布号 |
CN102479748A |
申请公布日期 |
2012.05.30 |
申请号 |
CN201010566057.X |
申请日期 |
2010.11.29 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
发明人 |
周鸣 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种半导体器件的形成方法,其特征在于,包括步骤:提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有层间介电层;在所述层间介电层上形成第一光刻胶层;对第一光刻胶层进行图形化处理,形成开口图形;以第一光刻胶层为掩膜,沿开口图形刻蚀层间介电层至露出半导体衬底,形成开口;去除第一光刻胶层;在层间介电层上形成超低k介电层,并将超低k介电层填充满开口;平坦化所述超低k介电层至露出层间介电层;在层间介电层和超低k介电层上形成第二光刻胶层,经过光刻工艺,在第二光刻胶层上定义出沟槽图形或通孔图形,所述沟槽图形或通孔图形的位置对应层间介电层;以第二光刻胶层为掩膜,沿沟槽图形或通孔图形刻蚀层间介电层至露出半导体衬底,形成沟槽或通孔,所述沟槽或通孔与超低k介电层之间由层间介电层间隔。 |
地址 |
100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 |