| 发明名称 | 储存存储器的错误信息的装置和方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于储存存储器件的错误信息的装置，包括多个父存储器和多个子存储器。父存储器的每个储存一个缺陷单元的行地址和列地址。子存储器每个储存行地址与储存在相应的父存储器中的行地址相同的缺陷单元的列地址、或者储存列地址与储存在相应的父存储器中的列地址相同的缺陷单元的行地址。其中，父存储器每个储存与是否必须执行行修复来修复储存在该父存储器中的缺陷单元有关的信息、以及与是否必须执行列修复来修复储存在该父存储器中的缺陷单元有关的信息。 | ||
| 申请公布号 | CN102479555A | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201110058689.X | 申请日期 | 2011.03.11 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 郑宇植;李康七;赵贞镐;李庆燮;姜日权;姜成昊;李周桓 |
| 分类号 | G11C29/44(2006.01)I | 主分类号 | G11C29/44(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 郭放;张文 |
| 主权项 | 一种用于储存存储器件的错误信息的装置，包括：多个父存储器，所述多个父存储器中的每个储存一个缺陷单元的行地址和列地址；以及多个子存储器，所述多个子存储器中的每个储存行地址与储存在相应的父存储器中的行地址相同的缺陷单元的列地址，或者储存列地址与储存在相应的父存储器中的列地址相同的缺陷单元的行地址，其中，所述父存储器中的每个储存第一信息和第二信息，所述第一信息与是否必须执行行修复来修复储存在该父存储器中的缺陷单元有关，所述第二信息与是否必须执行列修复来修复储存在该父存储器中的缺陷单元有关。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||