一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制作方法

摘要

本发明提供了一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制作方法，在形成导电沟道之前，在源极和漏极区域的硅衬底表面制作硬掩膜，在离子注入形成导电沟道的过程中，利用硬掩膜作为遮蔽，从不同角度分两次进行离子注入，形成非均匀导电沟道，在未显著降低非均匀导电沟道的整体掺杂浓度的前提下，降低了导电沟道靠近漏极的边缘部分的掺杂浓度，一方面避免增加MOSFET的短沟道效应，另一方面降低带间隧穿效应和栅极致漏电流，降低关闭电流，提高MOSFET器件寿命。

主权项

一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制作方法，提供具有n型或p型掺杂硅衬底的晶圆，所述硅衬底中设置源极区域和漏极区域，其特征在于，该方法包括：所述硅衬底表面沉积介质层；图案化所述介质层，露出在源极区域和漏极区域之间的硅衬底表面，作为栅极窗口；以图案化的介质层作为硬掩膜，对所述栅极窗口两次离子注入，其中一次离子注入时第一掺杂所述栅极窗口的中间区域和靠近源极区域，未掺杂所述栅极窗口的靠近漏极区域；另一次离子注入时第二掺杂所述靠近漏极区域及全部或部分所述中间区域和靠近源极区域，所述靠近漏极区域形成第一区域导电沟道，所述两次离子注入的重叠区域形成第三区域导电沟道，在栅极窗口中形成第一区域导电沟道的掺杂浓度低于第三区域导电沟道的掺杂浓度的非均匀掺杂导电沟道；在所述栅极窗口表面依次沉积栅氧化层及多晶硅层后，化学机械研磨所述多晶硅层，直到露出所述介质层以形成栅极；去除图案化的介质层；在所述栅极侧壁形成侧墙，以栅极和侧墙为掩膜，采用离子注入方式在硅衬底中形成源极和漏极。