| 发明名称 | 薄膜电阻器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及薄膜电阻器及其制造方法。一种形成半导体结构的方法包括：在衬底之上形成电阻器；形成与所述电阻器接触的至少一个第一接触；以及形成与所述电阻器接触的至少一个第二接触。所述电阻器被构造和设置为使电流从所述至少一个第一接触通过所述电阻器的中心部分而流到所述至少一个第二接触。所述电阻器包括沿与所述电流平行的方向从所述中心部分向外横向延伸的至少一个延伸部。所述方法包括基于所述电阻器的热扩散长度设定所述至少一个延伸部的尺寸。 | ||
| 申请公布号 | CN102479684A | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201110360179.8 | 申请日期 | 2011.11.14 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | D·L·哈尔蒙;J·M·鲁卡伊提斯;S·E·劳赫三世;R·R·罗比松;D·K·斯里舍尔;J·H·斯隆;T·D·苏利万;K·M·沃特森 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 于静;杨晓光 |
| 主权项 | 一种形成半导体结构的方法，包括：在衬底之上形成电阻器；形成与所述电阻器接触的至少一个第一接触；以及形成与所述电阻器接触的至少一个第二接触；其中所述电阻器被构造和设置为使电流从所述至少一个第一接触通过所述电阻器的中心部分而流到所述至少一个第二接触；所述电阻器包括沿与所述电流平行的方向从所述中心部分向外横向延伸的至少一个延伸部；以及形成所述电阻器包括基于所述电阻器的热扩散长度设定所述至少一个延伸部的尺寸。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||