发明名称 |
离子束辅助溅射装置及离子束辅助溅射方法 |
摘要 |
本发明提供一种离子束辅助溅射装置,其具有:靶材;向该靶材照射溅射离子、轰击出靶材构成粒子一部分的溅射离子源;设置用于堆积从靶材上轰击出的粒子的基材的成膜区域;相对于设置在该成膜区域的基材的成膜面的法线方向,从斜向照射辅助离子束的辅助离子束照射装置;所述溅射离子源具有多个离子枪,它们排列成可从所述靶材的一侧端部到另一侧端部照射溅射离子束,所述多个离子枪的用于产生溅射离子束的电流值分别设定。 |
申请公布号 |
CN102482769A |
申请公布日期 |
2012.05.30 |
申请号 |
CN201080039830.5 |
申请日期 |
2010.10.07 |
申请人 |
株式会社藤仓 |
发明人 |
羽生智;饭岛康裕 |
分类号 |
C23C14/46(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/46(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
金世煜;陈剑华 |
主权项 |
离子束辅助溅射装置,其具有:靶材;向该靶材照射溅射离子、轰击出所述靶材构成粒子一部分的溅射离子源;设置用于堆积从所述靶材上轰击出的粒子的基材的成膜区域;相对于设置在该成膜区域的所述基材的成膜面的法线方向,从斜向照射辅助离子束的辅助离子束照射装置;所述溅射离子源具有多个离子枪,它们排列成可对所述靶材的一侧端部到另一侧端部进行溅射离子束的照射,所述多个离子枪的产生所述溅射离子束的电流值分别设定。 |
地址 |
日本东京都 |