半导体装置、有源矩阵基板以及显示装置

摘要

提供能与周围温度无关地实现漏电流的降低的半导体装置、使用该半导体装置的有源矩阵基板以及显示装置。在具有串联连接的多个薄膜晶体管的开关部(半导体装置)(18)中，具备：多个栅极电极(g1～g4)；沟道区域(30)和低浓度杂质区域(29)，其包含在设于多个栅极电极(g1～g4)的下方的硅层(半导体层)(SL)中，并且分别设于多个晶体管；以及底栅电极(21)，其设于硅层(SL)的下方。对底栅电极(21)提供与各栅极电极(g1～g4)同相位的电压。

主权项

一种半导体装置，具备：串联连接的多个薄膜晶体管；栅极电极，其分别设于上述多个薄膜晶体管；半导体层，其设于多个上述栅极电极的下方；沟道区域，其形成于该半导体层，分别设于上述多个薄膜晶体管；低浓度杂质区域，其形成于上述半导体层，与上述沟道区域相邻；底栅电极，其设于上述沟道区域的下方；以及遮光膜，其对上述沟道区域和上述低浓度杂质区域进行遮光，以对上述栅极电极施加电压的状态对上述底栅电极施加电压。