| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供缓和在栅极和漏极之间产生的电场集中的高击穿电压晶体管。本发明提供一种半导体器件，包括：第一栅电极，通过栅极绝缘膜在半导体基板上方形成；第二栅电极，通过栅极绝缘膜在半导体基板上方形成，且通过绝缘侧墙布置在第一栅电极的侧面；源极区域和漏极区域，在半导体基板上形成，从而夹置第一和第二栅电极；以及电场集中缓和区域，形成为夹置位于第一栅电极下方的半导体基板的某区域，且形成为与第二栅电极以及漏极和源极区域交叠。 | ||
| 申请公布号 | CN102484134A | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201080041422.3 | 申请日期 | 2010.09.15 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 疋田智之 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 曲宝壮;王忠忠 |
| 主权项 | 一种半导体器件包括：第一栅电极，通过栅极绝缘膜在半导体基板上方形成；第二栅电极，通过栅极绝缘膜在半导体基板上方形成，且通过绝缘侧墙布置在第一栅电极的侧面；源极区域和漏极区域，在半导体基板上形成，从而夹置第一和第二栅电极；以及电场集中缓和区域，形成为夹置位于第一栅电极下方的半导体基板的某区域，且形成为与第二栅电极以及漏极和源极区域交叠。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||