| 发明名称 | 一种化学机械平坦化的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种化学机械平坦化的方法，所述方法包括：提供半导体晶片，所述晶片包括衬底、形成于所述衬底上的第一介质层以及形成于第一介质层内的互连结构；在所述第一介质层内形成沟槽，所述沟槽与所述互连结构相接；在所述沟槽与第一介质层上形成导电层，所述导电层与所述互连结构电连接；在所述导电层上形成开口，所述开口的底部高于所述导电层的底部；在所述导电层上形成第二介质层；对所述晶片进行化学机械研磨，至所述第一介质层露出。所述方法释放了导电层的应力，从而减小了由于导电层的应力导致晶片的弯曲，进而减小由于晶片弯曲导致晶片的不平整，提高晶片平整度。 | ||
| 申请公布号 | CN102479750A | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201010571662.6 | 申请日期 | 2010.11.29 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人 | 马佑平 |
| 主权项 | 一种化学机械平坦化的方法，所述方法包括：提供半导体晶片，所述晶片包括衬底、形成于所述衬底上的第一介质层以及形成于第一介质层内的互连结构；在所述第一介质层内形成沟槽，所述沟槽与所述互连结构相接；在所述沟槽及第一介质层上形成导电层，所述导电层与所述互连结构电连接；在所述导电层上形成开口，所述开口的底部高于所述导电层的底部；在所述导电层上形成第二介质层；对所述晶片进行化学机械研磨，至所述第一介质层露出。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||