发明名称 |
氮化铝陶瓷基板200瓦30dB衰减片 |
摘要 |
本实用新型公开了一种大功率氮化铝陶瓷基板200瓦30dB衰减片,其包括一9.55*9.55*1MM的氮化铝基板,所述氮化铝基板的背面印刷有背导层,所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻,所述导线连接所述电阻连接形成衰减电路。该衰减片增大了的电阻面积,使其抗高低温冲击性能增加,避免了在输出端焊接引线时,高温对电阻的淬伤,避免了因电阻被淬伤,在实际使用过程中会坏掉的风险。通过线路的优化设计,改善了衰减片的性能,通过控制表面电阻率精确控制每个电阻的阻值,得到需要的衰减值,填补了国内不能生产200W-30dB氮化铝基板衰减片的空白。 |
申请公布号 |
CN202259638U |
申请公布日期 |
2012.05.30 |
申请号 |
CN201120352042.3 |
申请日期 |
2011.09.20 |
申请人 |
苏州市新诚氏电子有限公司 |
发明人 |
郝敏 |
分类号 |
H01P1/22(2006.01)I |
主分类号 |
H01P1/22(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种大功率氮化铝陶瓷基板200瓦30dB衰减片,其特征在于:其包括一9.55*9.55*1MM的氮化铝基板,所述氮化铝基板的背面印刷有背导层,所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻,所述导线连接所述电阻连接形成衰减电路,所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接。 |
地址 |
215000 江苏省苏州市高新区鹿山路369号环保产业园18幢 |