一种多晶硅厚膜太阳能电池生产方法

摘要

本发明为多晶硅厚膜太阳能电池生产方法，步骤是：1.高温下，在装载有液态Sn的耐高温槽内，采用化学气相沉积工艺，以SiH4或者SiHCl3为硅源、以O2气为氧源在液态Sn表面沉积一层SiO2过渡层；2.在该过渡层上采用化学气相沉积法沉积一层厚度为10-150微米厚的硼掺杂P型或磷掺杂N型多晶硅；3.对该P型或N型多晶硅层通过原位磷或硼扩散在表面形成PN结；4.适当降低衬底温度，从液态Sn表面分离多晶硅厚膜PN结；5.采用常规工艺完成多晶硅厚膜电池制作。通过本发明制作的多晶硅厚膜太阳能电池光电转换效率可以超过16％，且省去了铸锭、切片等繁琐环节，能耗低、成本低，具有巨大的产业化价值。

主权项

一种多晶硅厚膜太阳能电池生产方法，其特征是，它的工艺步骤为：(1)在800℃‑1400℃温度下，在承载有液态金属Sn的耐高温槽内，先采用化学气相沉积工艺，以SiH4或SiHCl3为硅源、以O2气为氧源，在液态Sn表面沉积一层SiO2过渡层；(2)继续保持锡槽所述高温，并且：在该过渡层上，以硼烷掺杂的硅烷为反应气体，采用化学气相沉积工艺沉积一层厚度为5微米‑100微米厚的P型多晶硅厚膜；(3)通入磷烷对P型多晶硅厚膜进行掺杂形成PN结；PN结的发射极方块电阻范围为40Ω/□‑120Ω/□；(4)降低锡槽温度到250℃‑500℃，利用SiO2过渡层和液态金属Sn的不浸润特性，从液态Sn表面分离多晶硅厚膜PN结，最后结合常规工艺制取多晶硅厚膜太阳能电池。