一种稀土掺杂硼酸镥钪闪烁单晶及其生长方法

摘要

本发明涉及一种无机化合物晶体及制造技术领域，提供了一种稀土掺杂硼酸镥钪单晶的浮区法生长方法。本发明成功利用浮区法获得晶体质量较好的稀土掺杂硼酸镥钪单晶，该单晶的结构式为(Lu1-xScx)1-yMyBO3，其中：0.1≤x≤0.7，0

主权项

一种稀土掺杂硼酸镥钪闪烁单晶的浮区法生长方法，所述单晶的化学式为(Lu1‑xScx)1‑yMyBO3，其中：0.1≤x≤0.7，0＜y≤0.1，M选自Ce、Pr、Eu、Tb或Yb中的一种或多种，包括以下步骤：1)配料：以Lu2O3、Sc2O3、B2O3以及元素M的氧化物为原料，将所述原料按照晶体组成比例配料后充分混合制得混合料，其中B2O3过量5‑7wt％；2)烧结：将步骤1)中得到的混合料用等静压压成料棒，然后于900～1300℃进行烧结，烧结时间为5～100小时，制得多晶棒；3)晶体生长：将多晶棒和籽晶安装在浮区炉中，密封并通入保护气体，然后升温至多晶棒和籽晶融化，升温同时多晶棒和籽晶分别同向或反向转动，转速为10～30rpm，保温10～15分钟，接种；然后经缩颈，放肩，等径生长及收尾进行晶体生长，在生长过程中，生长速度为3～20mm/h，浮区长度为料棒直径的0.5～2倍；4)降温：晶体生长完毕后，以100‑400℃/小时的速度降到室温，得到稀土掺杂硼酸镥钪闪烁单晶。