用于提高匹配的防护环

摘要

一种半导体的制造方法，包括形成一限定内部区域的调平防护环，其中构建有一个或多个器件。在一些实施例中在内部区域中构建两个或多个匹配器件，如具有同质心形式。该防护环形成在至少一特定层上用于特定工艺步骤。借助于该防护环压倒本地部件高度差别的影响，因此随后施加的光致抗蚀剂沿该内部区域具有非常均匀的高度，带来非常均匀的器件。在一些实施例中，包围不同的匹配器件阵列的多个防护环排列在半导体晶片的表面上，它们彼此分开以致于互不影响。基于各防护环的等同效应，排列在该内部区域的各器件更均匀地与位于远远分开的防护环中的等同器件相互匹配。这样，实现了本地和全局匹配。

主权项

一种在半导体晶片上制造集成电路的过程中减小光致抗蚀剂在晶片上构图电路的第一指定区上的厚度变化的方法，包括以下步骤：a.在半导体晶片的第一指定区周围形成第一调平防护环，使其高度足以控制所述第一调平防护环内的光致抗蚀剂厚度的均匀性；b.向晶片上施加光致抗蚀剂；和c.通过使用光致抗蚀剂，在第一指定区内制造一个或多个器件。