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<p>Método para formar una capa (216) en relieve de óxido de silicio que emplea una estampa (206) que tiene una superficie (208) de estampado que incluye un patrón en relieve de plantilla, comprendiendo el método las etapas de: - proporcionar una superficie (202) de sustrato; - dotar al menos una de la superficie (202) de sustrato y la superficie de estampado de una disolución de compuesto de óxido de silicio que comprende un disolvente y un compuesto de óxido de silicio para formar la capa en relieve de óxido de silicio y que tiene un grado de reticulación Si-O-Si; - eliminar el disolvente al menos parcialmente para dejar una capa (200) de compuesto de óxido de silicio parcialmente secada; - intercalar la capa (200) de compuesto de óxido de silicio parcialmente secada en entre la superficie de sustrato (2020) y la superficie de estampado (208), moldeándose de ese modo la capa (200) de compuesto de óxido de silicio parcialmente secada según el patrón en relieve de plantilla; - secar adicionalmente la capa de compuesto de óxido de silicio parcialmente secada mientras que está intercalándose, formando de ese modo una capa (216) de óxido de silicio solidificada; - separar la superficie de estampado de la capa 216 de óxido de silicio solidificada proporcionando de ese modo la capa (216) en relieve; caracterizado porque - los átomos de silicio del compuesto de óxido de silicio consisten en átomos de silicio unidos químicamente a cuatro átomos de oxígeno y átomos de silicio unidos químicamente a tres átomos de oxígeno y un átomo diferente de oxígeno, siendo químicamente inerte el enlace químico entre los átomos de silicio y el átomo diferente de oxígeno durante el método.</p> |
