| 发明名称 | 氮化物类半导体发光元件、氮化物类半导体激光元件、氮化物类半导体发光二极管及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能抑制制造工艺复杂化且能抑制发光效率降低的氮化物类半导体发光元件。该氮化物类半导体发光元件(50)包括：氮化物类半导体元件层(23)，形成于基板(21)的由(1-100)面构成的主表面上，具有以(1-100)面为主面的发光层(26)；由(000-1)面构成的端面(50a)，形成于氮化物类半导体元件层(23)的包含发光层(26)的区域的端部，沿相对于发光层(26)的主面((1-100)面)大致垂直方向延伸；反射面(50c)，形成于与由(000-1)面构成的端面(50a)相对的区域，由氮化物类半导体元件层(23)的生长面构成，沿相对于端面(50a)倾斜角度θ1(约62°)的方向延伸。 | ||
| 申请公布号 | CN101809833B | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN200880108937.3 | 申请日期 | 2008.09.25 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 广山良治;三宅泰人;久纳康光;别所靖之;畑雅幸 |
| 分类号 | H01S5/18(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种氮化物类半导体发光元件，其特征在于，包括：氮化物类半导体元件层，形成于基板上，具有以(H、K、‑H‑K、0)面为主面的发光层；端面，形成于所述氮化物类半导体元件层的包含所述发光层的区域的端部，在相对于所述发光层的主面大致垂直的方向延伸，由(000‑1)面构成；和反射面，形成于与所述端面相对的区域，由所述氮化物类半导体元件层的生长面构成，相对于所述端面倾斜规定角度地延伸。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||