一种多晶硅层间介质刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种多晶硅层间介质刻蚀方法，该方法包括：在多晶硅层上沉积多晶硅层间介质后，光刻和第一干法刻蚀去除多晶硅层间介质，以多晶硅层为停止层，然后第二干法刻蚀多晶硅层，最后湿法刻蚀氧化层。本发明提供的方法能够得到较平坦的前层氧化层，减小硅衬底的损伤，降低高压器件氧化层的电性厚度的失效率。

主权项

一种多晶硅层间介质的刻蚀方法，应用于闪存中制造外围电路区过程中，该方法包括：提供晶圆，所述晶圆的器件面上具有前层氧化层；在所述前层氧化层上沉积多晶硅层；在所述多晶硅层进行第一光刻后第一干法刻蚀存储单元区的多晶硅层形成浮栅；在所述多晶硅层上沉积多晶硅层间介质，包括上氧化层，氮化层和下氧化层三部分；第二光刻后第二干法刻蚀所述外围电路区多晶硅层间介质；第三干法刻蚀外围电路区多晶硅层；湿法刻蚀外围电路区前层氧化层。