感光性SAM膜的曝光方法及半导体器件的制造方法

摘要

本发明涉及一种感光性SAM膜的曝光方法及半导体装置的制造方法。由于使用印刷法产生位置偏移，所以难以形成间隔绝缘膜使下部电极和上部电极良好对位的电极衬底。使用光掩模进行对位，大幅度降低成本。本发明公开的技术是感光性SAM膜的曝光方法，该方法在衬底上成膜具有感光性、感光前具有疏液性、感光后具有亲液性的自组织化单分子膜(感光性SAM膜)，在使该衬底的所述成膜面浸渍在液体中的状态下或使感光面朝下与液体接触的状态下，对所述衬底进行曝光，其特征在于，曝光光是紫外光、可见光或波长为350nm以上800nm以下的曝光光，所述液体是含有芳香环的有机溶剂、醇类、醚类或酮类有机溶剂中的至少一种。

主权项

感光性SAM膜的曝光方法，所述方法在衬底上形成具有感光性、感光前具有疏液性、感光后具有亲液性的自组织化单分子膜即感光性SAM膜，在使所述衬底的成膜面浸渍在液体中的状态下或使感光面朝下与所述液体接触的状态下，对所述衬底进行曝光，所述方法的特征在于，曝光光的波长为350nm以上800nm以下，所述液体选自甲苯、二甲苯、苯酚、苯胺、乙醚、四氢呋喃、甲醇、乙醇、丙酮、氨、三乙胺、氯仿、全氟己烷、有机碱水溶液。