| 发明名称 | 一种制造半导体装置的方法 | ||
| 摘要 | 本发明要解决的问题是提高锡(Sn)-锑(Sb)体系焊料合金的润湿性和焊接性能。使用焊料合金6将具有半导体芯片4的绝缘基片10上的导体图案3与散热板8相连接，所述焊料合金包含3-5重量％的锑(Sb)、不超过0.2重量％的锗(Ge)和余量的锡(Sn)。可用同类的焊料合金5将半导体芯片4和绝缘基片10上的半导体图案2连接。可用同类的焊料合金7将半导体芯片4和连线导体6连接。 | ||
| 申请公布号 | CN101905388B | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201010240767.3 | 申请日期 | 2006.02.28 |
| 申请人 | 富士电机株式会社 | 发明人 | 両角朗;征矢野伸;高桥良和 |
| 分类号 | B23K35/26(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I | 主分类号 | B23K35/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 沙永生 |
| 主权项 | 一种制造半导体装置的方法，该装置包括：在其两个表面上都具有导体图案的绝缘基片，与所述绝缘基片前表面上的导体图案相连的半导体芯片，与绝缘基片背面上的导体图案相连的散热板，所述方法包括用熔融的焊料合金对绝缘基片前表面上的导体图案和所述半导体芯片进行焊接，所述焊料合金包含3‑5重量％的锑、0.01‑0.05重量％的锗和余量的锡。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||