| 发明名称 | 提高经过多次擦写周期后电荷保持能力的存储单元结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种提高经过多次擦写周期后电荷保持能力的存储单元结构，包括：在半导体衬底上形成的氧化层-氮化层-氧化层ONO电荷存储层；在所述ONO电荷存储层上形成的位线多晶硅栅；在所述位线多晶硅栅的两侧形成的位线侧壁层；在半导体衬底上以位线多晶硅栅和位线侧壁层为掩蔽，进行口袋(PKT)注入，形成的PKT区；在半导体衬底上以位线多晶硅栅和位线侧壁层为掩蔽，进行位线注入，形成的位线注入区；所述位线多晶硅栅和位线注入区在半导体衬底内有重叠，重叠部分长度为27～33纳米。该结构能够有效提高存储装置的电荷保持能力。 | ||
| 申请公布号 | CN101989605B | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN200910055762.0 | 申请日期 | 2009.07.31 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 徐美玲;司伟;韩永召;陈自凡;蔡信裕 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L29/792(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种提高经过多次擦写周期后电荷保持能力的存储单元结构，包括：在半导体衬底上形成的氧化层‑氮化层‑氧化层ONO电荷存储层；在所述ONO电荷存储层上形成的字线多晶硅栅；在所述字线多晶硅栅的两侧形成的字线侧壁层；在半导体衬底上以字线多晶硅栅和字线侧壁层为掩蔽，进行口袋PKT注入，形成的PKT区；在半导体衬底上以字线多晶硅栅和字线侧壁层为掩蔽，进行位线注入，形成的位线注入区；其特征在于，所述字线多晶硅栅和位线注入区在半导体衬底内有重叠，重叠部分长度为27～33纳米。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||