| 发明名称 |
Verfahren zum Herstellen extrem planer Halbleiterflaechen |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE1239669(B) |
申请公布日期 |
1967.05.03 |
| 申请号 |
DE1961S073615 |
申请日期 |
1961.04.22 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
MERKEL DIPL.-CHEM. DR. HANS |
| 分类号 |
C23F1/24;H01L21/00;H01L21/20 |
主分类号 |
C23F1/24 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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