| 发明名称 | 使用离子束在过孔内的选择性纳米管生长 | ||
| 摘要 | 一种选择性生长一个或多个碳纳米管的方法，包括：在衬底(12)上形成绝缘层(10)，该绝缘层具有顶表面(14)；在绝缘层中形成过孔(18)；在包括过孔的侧壁及底表面的绝缘层之上形成有源金属层(30)；以及使用离子束移除在顶表面的部分处的有源金属层，以实现在过孔内选择性生长一个或多个碳纳米管。 | ||
| 申请公布号 | CN102484096A | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201080037482.8 | 申请日期 | 2010.08.05 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | A·卡莱加里;K·巴比奇;E·奥沙利文;J·康诺利 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 酆迅;边海梅 |
| 主权项 | 一种选择性生长一个或多个碳纳米管的方法，包括：在衬底上形成绝缘层，所述绝缘层具有顶表面；在所述绝缘层中形成过孔；在包括所述过孔的侧壁和底表面的所述绝缘层之上形成有源金属层；以及使用离子束移除在所述顶表面的部分处的所述有源金属层，以实现在所述过孔内选择性生长一个或多个碳纳米管。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||