基板处理方法

摘要

提供一种基板处理方法，使其在使处理室的状态恢复的恢复处理的时间比处理室中进行的规定处理的时间长的情况下，也可以使生产能力提高。交替地向两个成膜室C、D传送基板，在成膜室C、D中对基板并行地进行同一成膜处理，当成膜室C中的处理片数达到规定片数(11片)时，在成膜室C中开始伪溅射处理，并且在直到伪溅射处理结束为止的期间内，向成膜室D传送第1批的第23片～第25片来进行成膜处理。当成膜室C中的伪溅射处理结束时，在成膜室D中开始伪溅射处理，并且在直到伪溅射处理结束为止的期间内，向成膜室C传送第2批的第1片～第3片来进行成膜处理。当成膜室D中的伪溅射处理结束时，重新开始交替的传送。

主权项

一种基板处理方法，其特征在于，向至少两个处理室交替地传送基板，在各处理室中并行地对基板进行同一处理，当各处理室中的处理片数达到规定片数时，进行使各处理室的状态恢复的恢复处理，所述恢复处理的时间比所述处理的时间长，当任意一个处理室中的处理片数达到规定片数时，在该一个处理室中开始所述恢复处理，在所述一个处理室中的恢复处理结束为止的期间，仅向其它处理室传送基板来进行所述处理，在所述一个处理室中的恢复处理结束后，在所述其它处理室中开始所述恢复处理，并且在所述其它处理室中的恢复处理结束为止的期间，仅向所述一个处理室传送基板来进行所述处理，当所述其它处理室中的恢复处理结束时，重新开始所述交替的传送。