发明名称 |
验证半导体存储器器件的多周期自刷新操作及其测试 |
摘要 |
本发明提供验证半导体存储器器件的多周期自刷新操作及其测试。半导体存储器器件包括存储器单元阵列、标签信息寄存器、刷新控制电路和DQ管脚。存储器单元阵列包括根据相应的数据保留时间而被分为第一单元和第二单元的多个存储器单元。标签信息寄存器存储关于与第一单元和第二单元相连接的每个字线的刷新周期信息。刷新控制电路被配置为基于刷新周期信息而产生刷新使能信号和刷新地址。DQ管脚被配置为输出刷新使能信号、刷新地址和在存储器单元阵列中存储的数据。 |
申请公布号 |
CN102479543A |
申请公布日期 |
2012.05.30 |
申请号 |
CN201110383830.3 |
申请日期 |
2011.11.28 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
沈甫逸;朴常元 |
分类号 |
G11C11/406(2006.01)I;G11C29/08(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/406(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
刘光明;穆德骏 |
主权项 |
一种半导体存储器器件,包括:存储器单元阵列,所述存储器单元阵列包括根据相应的数据保留时间而被分为第一单元和第二单元的多个存储器单元;标签信息寄存器,所述标签信息寄存器被配置为存储用于与所述第一单元和所述第二单元相连接的每个字线的刷新周期信息;刷新控制电路,所述刷新控制电路被配置为基于所述刷新周期信息来产生刷新使能信号和刷新地址;以及输出,所述输出被配置为向外发送所述刷新使能信号、所述刷新地址和在所述存储器单元阵列中存储的数据。 |
地址 |
韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 |