| 发明名称 | 具有曲率控制层的III族氮化物发光装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构包含布置在n型区(22)和p型区(26)之间的III族氮化物发光层(24)。该半导体结构进一步包含生长在第一层(23)上的曲率控制层(25)。该曲率控制层布置在n型区和第一层之间。该曲率控制层具有比GaN的理论a晶格常数小的理论a晶格常数。该第一层为基本上单晶层。 | ||
| 申请公布号 | CN102484178A | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201080039997.1 | 申请日期 | 2010.08.04 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 | 发明人 | L. T.罗马诺;P. P.德布;A. Y.金;J. F.克丁 |
| 分类号 | H01L33/12(2006.01)I;H01L33/16(2006.01)I;H01L33/32(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01S5/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 谢建云;刘鹏 |
| 主权项 | 一种装置，包含：半导体结构，该半导体结构包含： 布置在n型区和p型区之间的III族氮化物发光层；以及 生长在第一层上的曲率控制层，其中： 该曲率控制层具有比GaN的理论a晶格常数小的理论a晶格常数； 该第一层为基本上单晶层；以及 该曲率控制层布置在该n型区和该第一层之间。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||