半导体器件的制造方法

摘要

一种半导体器件的制造方法，平坦化填充层覆盖衬底和衬底上的器件图形；在平坦化填充层上涂敷一层平坦的光刻胶，透过该光刻胶层对平坦化填充层进行离子注入；离子在平坦化填充层中的浓度分布受到光刻胶厚度的影响，进而不同的离子浓度会导致对平坦化填充层的不同的刻蚀速度，因此，在离子注入工艺之后通过去胶和刻蚀工艺，即可获得平坦化的器件表面，从而省去了通常采用CMP的平坦化工艺，减少了大量和CMP相关的工艺成本。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底上具有已形成的器件图形；形成一层平坦化填充层，所述平坦化填充层覆盖所述衬底和所述器件图形；所述平坦化填充层具有突出部分，上述突出部分对应于所述器件图形；在所述平坦化填充层上涂敷光刻胶，形成一层表面平坦的光刻胶层；采用一离子注入工艺，透过所述光刻胶层向所述平坦化填充层注入离子；在所述离子注入工艺之后，去除所述光刻胶层；采用一刻蚀工艺，对所述平坦化填充层进行刻蚀，获得平坦化表面；其特征在于：由于所述平坦化填充层上方的所述光刻胶层的厚度不同，上述突出部分的顶部的离子浓度高于上述突出部分的底部的离子浓度，也高于除上述突出部分之外的上述平坦化填充层的离子浓度。