旋转式空间隔离化学气相淀积方法及其设备

摘要

本发明公开了一种旋转式空间隔离化学气相淀积CVD方法，包括：基底在反应腔体内旋转，依次通过反应腔体内的多个反应区，反应区通过供应系统获得前驱体，前驱体在基底通过所述前驱体所在的反应区时吸附在基底的表面；吸附在基底表面的不同前驱体之间发生化学反应，生成沉积在基底表面的薄膜。本发明还公开了一种使用上述方法的旋转式空间隔离化学气相淀积CVD设备。使用本发明的旋转式空间隔离化学气相淀积CVD方法及其设备能够方便地控制薄膜沉积厚度、提高薄膜均匀性，并且适用于制备各种厚度的薄膜。

主权项

一种旋转式空间隔离化学气相淀积CVD方法，其特征在于，包括：基底在反应腔体内旋转，依次通过所述反应腔体内的多个反应区，所述反应区通过供应系统获得前驱体，所述前驱体在所述基底通过所述前驱体所在的反应区时吸附在所述基底的表面；吸附在所述基底表面的不同所述前驱体之间发生化学反应，生成沉积在所述基底表面的薄膜。