发明名称 |
离子注入方法及离子注入机 |
摘要 |
本发明提供了一应用离子束截面特征分析仪的一离子注入方法及一离子注入机。该方法包含设定扫描条件、侦测离子束截面特征、依据侦测得到的离子束截面特征计算出离子注入剂分布以及扫描条件、测定位移距离用以进行离子注入,以及将离子簇注入在晶圆表面。该离子注入机运用了离子束截面特征分析仪来侦测离子束截面特征、计算离子注入剂分布以及测定位移距离,以及将位移距离应用在离子注入上使注入达到最佳化,其中该离子束截面特征分析仪包含了具有离子通道的主体,以及侦测单元配置在离子流道后方的侦测单元,用以侦测离子截面特征。该离子束截面特征分析仪可以是一维、二维或者斜角离子束截面特征分析仪。 |
申请公布号 |
CN102479655A |
申请公布日期 |
2012.05.30 |
申请号 |
CN201110386245.9 |
申请日期 |
2011.11.17 |
申请人 |
汉辰科技股份有限公司 |
发明人 |
沈政辉 |
分类号 |
H01J37/317(2006.01)I;H01J37/244(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/317(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
陈亮 |
主权项 |
一离子注入方法,包含了:侦测一离子束截面特征;依据该离子束截面特征计算一离子注入剂的截面特征及离子注入剂的均匀度;依据该计算测定该离子束的一最佳化位移距离;以及在一整个扫描操作过程,以最佳化的位移距离将离子簇注入于一晶圆表面。 |
地址 |
中国台湾新竹县宝山乡新竹科学工业园区研新一路18号5楼 |