| 发明名称 | 具有凹坑层的发光二极管装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了发光二极管装置及其制造方法。在一实施例中，发光二极管装置包含一具有第一表面与第一厚度的N型层，以及一位于第一表面的凹坑层。凹坑层具有第二表面以及介于以及<img file="dsa00000601345000011.GIF" wi="141" he="56" />至<img file="dsa00000601345000012.GIF" wi="156" he="48" />第二厚度。此外，一具有介于<img file="dsa00000601345000013.GIF" wi="106" he="47" />至<img file="dsa00000601345000014.GIF" wi="98" he="48" />的第三厚度的活性层位于第二表面，并且一P型层位于活性层上。N型层在第一表面具有一缺陷密度，范围从1×10<sup>9</sup>cm<sup>-2</sup>至1×10<sup>10</sup>cm<sup>-2</sup>。凹坑层具有许多凹坑。 | ||
| 申请公布号 | CN102479897A | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201110332823.0 | 申请日期 | 2011.10.27 |
| 申请人 | 绿种子能源科技股份有限公司 | 发明人 | 刘恒 |
| 分类号 | H01L33/20(2010.01)I;H01L33/08(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/20(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人 | 文琦;陈波 |
| 主权项 | 1.一种发光二极管装置，包含：一N型层，该N型层具有一第一表面与一第一厚度；一凹坑层，该凹坑层位于所述第一表面，且具有一第二表面以及一第二厚度，该第二厚度的范围从<img file="FSA00000601345200011.GIF" wi="143" he="48" />至<img file="FSA00000601345200012.GIF" wi="174" he="52" />一活性层，该活性层位于所述第二表面上，且具有一介于<img file="FSA00000601345200013.GIF" wi="107" he="48" />至<img file="FSA00000601345200014.GIF" wi="99" he="47" />的第三厚度；以及一P型层，该P型层位于所述活性层上；其中，所述N型层在所述第一表面具有一缺陷密度，其范围从1×10<sup>9</sup>cm<sup>-2</sup>至1×10<sup>10</sup>cm<sup>-2</sup>，所述凹坑层具有多个凹坑，且在所述第二表面上每一个凹坑的凹坑尺寸介于<img file="FSA00000601345200015.GIF" wi="142" he="48" />至<img file="FSA00000601345200016.GIF" wi="156" he="48" />之间。 | ||
| 地址 | 英属维尔京群岛托尔托拉罗德镇邮政信箱116号布莱克本公路海米多座 | ||