| 发明名称 | 结晶硅膜的形成方法、使用了该结晶硅膜的薄膜晶体管以及显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种使用可见光区域波长的激光来形成结晶性稳定的结晶硅膜的结晶硅膜的形成方法。本发明的结晶硅膜的形成方法，包括：第一工序，形成金属膜；第二工序，在金属膜上形成绝缘膜；和第三工序，在绝缘膜上形成由多晶Si形成的结晶硅膜，在第二工序中，以160nm～190nm的膜厚范围来形成所述绝缘膜，所述第三工序包括以下工序：在所述绝缘膜上以30nm～45nm的膜厚范围来形成由a-Si形成的非晶硅膜的工序；和通过对所述非晶硅膜照射可见光区域波长的激光来形成结晶硅膜的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN102484074A | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201080039162.6 | 申请日期 | 2010.08.17 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 濑川泰生 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 段承恩;徐健 |
| 主权项 | 一种结晶硅膜的形成方法，包括：第一工序，在包括玻璃的绝缘性基板上形成包含Mo或MoW的高熔点金属或者合金的金属膜；第二工序，在所述金属膜上形成绝缘膜；和第三工序，在所述绝缘膜上形成由多晶Si形成的结晶硅膜，在所述第二工序中，以160nm～190nm的膜厚范围来形成所述绝缘膜，所述第三工序包括以下工序：在所述绝缘膜上以30nm～45nm的膜厚范围来形成由a‑Si形成的非晶硅膜的工序；和通过对所述非晶硅膜照射绿色激光的光来形成所述结晶硅膜的工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||