低蚀刻性光刻胶清洗剂

摘要

本发明公开了一种低蚀刻性的光刻胶清洗剂，其特征在于含有：季胺氢氧化物，烷基二醇芳基醚或其衍生物，和如式I所示的苯乙酮或其衍生物；式I其中，R5和R6为H、羟基、C1～C2的烷基、C1～C2的烷氧基或C1～C2的羟烷基，所述的烷基二醇芳基醚或其衍生物为乙二醇单苯基醚、丙二醇单苯基醚、异丙二醇单苯基醚、二乙二醇单苯基醚、二丙二醇单苯基醚、二异丙二醇单苯基醚、乙二醇单苄基醚、丙二醇单苄基醚、乙二醇二苯基醚、丙二醇二苯基醚、异丙二醇二苯基醚、二乙二醇二苯基醚、二丙二醇二苯基醚、二异丙二醇二苯基醚、乙二醇二苄基醚或丙二醇二苄基醚。本发明的低蚀刻性光刻胶清洗剂可用于去除金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶(光阻)和其它残留物，同时对于二氧化硅、铜等金属以及低k材料等具有较低的蚀刻速率，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。

主权项

1.一种低蚀刻性的光刻胶清洗剂，其特征在于含有：水、季铵氢氧化物，烷基二醇芳基醚或其衍生物，和如式I所示的苯乙酮或其衍生物；式I其中，R₅和R₆为H、羟基、C₁～C₂的烷基、C₁～C₂的烷氧基或C₁～C₂的羟烷基，其中：所述的烷基二醇芳基醚或其衍生物为乙二醇单苯基醚、丙二醇单苯基醚、异丙二醇单苯基醚、二乙二醇单苯基醚、二丙二醇单苯基醚、二异丙二醇单苯基醚、乙二醇单苄基醚、丙二醇单苄基醚、乙二醇二苯基醚、丙二醇二苯基醚、异丙二醇二苯基醚、二乙二醇二苯基醚、二丙二醇二苯基醚、二异丙二醇二苯基醚、乙二醇二苄基醚或丙二醇二苄基醚，其中，所述的水的含量为小于或等于质量百分比20％。