| 发明名称 | 熔丝的熔断方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种熔丝的熔断方法，所述熔丝与半导体存储器中的冗余存储单元相连，用于通过熔丝的熔断来激活冗余存储单元，在熔丝之上还覆盖有一层介质层，该方法包括：采用蚀刻工艺对熔丝上方的介质层进行蚀刻，并保留介质层中的N个长方体部分，每个长方体部分的高等于介质层的厚度，每个长方体部分的长等于熔丝的宽度，其中，N为正整数；采用激光将介质层中的长方体部分所隔离开的N-1段熔丝分别熔断。采用该方法能够提高备用存储单元激活的准确率。 | ||
| 申请公布号 | CN102054816B | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN200910198454.3 | 申请日期 | 2009.11.03 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 宁先捷 |
| 分类号 | H01L23/525(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/525(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 王一斌;王琦 |
| 主权项 | 一种熔丝的熔断方法，所述熔丝与半导体存储器中的冗余存储单元相连，用于通过熔丝的熔断来激活冗余存储单元，在熔丝之上还覆盖有一层介质层，其特征在于，该方法包括：采用蚀刻工艺对熔丝上方的介质层进行蚀刻，并保留介质层中的N个长方体部分，每个长方体部分的高等于介质层的厚度，每个长方体部分的长等于熔丝的宽度，其中，N为正整数；采用激光将介质层中的长方体部分所隔离开的N+1段熔丝分别熔断。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||