栅极刻蚀的方法

摘要

本发明实施例提供一种栅极刻蚀的方法：确定第一阶段主刻蚀需要的总时间长度，在三维坐标空间中生成凸台高度和PR CD与ME1时长对应关系的三维曲面；所述凸台高度表示半导体衬底当中用于隔离有源区的隔离结构的上表面与有源区表面的高度差，所述PR CD表示经过光阻曝光后的半导体晶圆的关键尺寸；根据所述三维曲面获取当前实际的凸台高度和PR CD的取值所对应的ME1时长，并按照该ME1时长进行刻蚀；将所述第一阶段主刻蚀需要的总时间长度减去所述ME1时长得到ME1 OE的时长，并按照该ME1 OE的时长进行短时间过刻蚀补偿过程。该方法能够使得栅极刻蚀工序结束后的栅极形状没有底部的缺陷，达到理想的垂直状态。

主权项

一种栅极刻蚀的方法，应用于栅极刻蚀工序的第一阶段主刻蚀过程中，所述栅极刻蚀工序包括第一阶段主刻蚀、第二阶段主刻蚀和过刻蚀3个阶段；所述第一阶段主刻蚀包括刻蚀过程ME1，以及短时间过刻蚀补偿过程ME1 OE；其特征在于，该方法包括：确定第一阶段主刻蚀需要的总时间长度，在三维坐标空间中生成凸台高度和PR CD与ME1时长对应关系的三维曲面；所述凸台高度表示半导体衬底当中用于隔离有源区的隔离结构的上表面与有源区表面的高度差，所述PR CD表示经过光阻曝光后的半导体晶圆的关键尺寸；根据所述三维曲面获取当前实际的凸台高度和PR CD的取值所对应的ME1时长，并按照该ME1时长进行刻蚀；将所述第一阶段主刻蚀需要的总时间长度减去所述ME1时长得到ME1 OE的时长，并按照该ME1 OE的时长进行短时间过刻蚀补偿过程；所述在三维坐标空间中生成凸台高度和PR CD与ME1时长对应关系的三维曲面的方法包括：测量得到不同的凸台高度对应的ME1时长，以及不同的PR CD的取值对应的ME1时长；根据所述不同的凸台高度对应的ME1时长、以及不同的PR CD的取值对应的ME1时长，拟合得出表示所述凸台高度与ME1时长对应关系的曲线、以及表示所述PR CD的取值与ME1时长对应关系的曲线；根据生成的表示凸台高度与ME1时长对应关系的曲线、以及表示PR CD的取值与ME1时长对应关系的曲线，在三维坐标空间中拟合生成表示凸台高度和PR CD与ME1时长对应关系的三维曲面。