| 发明名称 | 检测镍铂去除装置的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种检测镍铂去除装置的方法，该方法包括：A、提供一表面形成氮化硅SiN的试验样品，使用镍铂去除装置对该试验样品进行镍铂去除工艺；B、使用光学测量工具检测SiN表面的杂质数量，如果杂质数量不符合工艺要求，则执行步骤C；如果杂质数量符合工艺要求，则结束流程；C、对该镍铂去除装置进行清洗，然后执行步骤A。使用表面形成氮化硅SiN的试验样品检测镍铂去除装置的方法，能够真实反映该镍铂去除装置的洁净度，因此可以及时对不符合工艺要求的镍铂去除装置加以调整，从源头避免失效成品的产生，从而节约大量成本和制造时间。 | ||
| 申请公布号 | CN102110624B | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN200910200991.7 | 申请日期 | 2009.12.23 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 刘佳磊 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 王一斌;王琦 |
| 主权项 | 一种检测镍铂去除装置的方法，该方法包括：A、提供一表面形成SiN的试验样品，使用镍铂去除装置对该试验样品进行镍铂去除工艺；B、使用光学测量工具检测SiN表面的杂质数量，如果杂质数量不符合工艺要求，则执行步骤C；如果杂质数量符合工艺要求，则结束流程；C、对该镍铂去除装置进行清洗，然后执行步骤A。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||