| 发明名称 | 一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的溅射装置 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及硅薄膜材料的制备领域，具体的说是一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的溅射装置。包括真空室、抽气装置，其特征在于：所述溅射真空装置内设有非平衡态向下溅射的平面孪生硅靶，孪生硅靶下方设有基片加热台，基片加热台与孪生硅靶之间设有挡板，基片加热台下方设有一串联的电磁线圈组。本实用新型采用外加电磁线圈连续调整孪生靶的非平衡度，实现了低功耗下纳米硅薄膜高速率的离子辅助沉积，薄膜晶体结构大范围可控、光学带隙可调。 | ||
| 申请公布号 | CN202246841U | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201120231838.3 | 申请日期 | 2011.07.01 |
| 申请人 | 中国科学院金属研究所 | 发明人 | 肖金泉;高俊华;闻立时;张林;石南林;宫骏;孙超 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I |
| 代理机构 | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人 | 周秀梅;李颖 |
| 主权项 | 中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的溅射装置，包括真空室、抽气装置，其特征在于：所述溅射真空装置(1)内设有非平衡态向下溅射的平面孪生硅靶(2)，孪生硅靶(2)下方设有基片加热台(4)，基片加热台(4)与孪生硅靶(2)之间设有挡板(3)，基片加热台(4)下方设有一串联的电磁线圈组(5)。 | ||
| 地址 | 110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 | ||