一种与CMOS电路纵向集成的MEMS硅麦克风

摘要

本实用新型涉及一种与CMOS电路纵向集成的MEMS硅麦克风，其包括背极板硅基及振膜硅基；背极板硅基上设有CMOS电路，背极板硅基对应设置CMOS电路的表面上淀积有电绝缘层，电绝缘层上设有金属键合层，金属键合层与CMOS电路的连接端电连接；背极板硅基上设有若干声孔；振膜硅基对应于与背极板硅基相连的表面设有振膜，振膜硅基内设有贯通振膜硅基的深坑，所述深坑位于声孔的正上方，且深坑与声孔对应分布；振膜硅基对应于设置振膜的表面键合安装于金属键合层上，振膜通过金属键合层与CMOS电路电连接，振膜与下电极间隙配合。本实用新型可与CMOS电路芯片垂直集成，简化生产工艺及其封装结构，降低生产成本，增强器件的可靠性。

主权项

一种与CMOS电路纵向集成的MEMS硅麦克风，包括背极板硅基（1）及位于所述背极板硅基（1）上方振膜硅基（9）；其特征是：所述背极板硅基（1）上对应于与振膜硅基（9）相连的另一侧设有CMOS电路（2），背极板硅基（1）对应设置CMOS电路（2）的表面上淀积有电绝缘层，所述电绝缘层上设有金属键合层（7），所述金属键合层（7）与CMOS电路（2）的连接端电连接；背极板硅基（1）上设有若干声孔（18），所述声孔（18）位于振膜硅基（9）的正下方，且声孔（18）从金属键合层（7）的表面向下延伸贯通背极板硅基（1），背极板硅基（1）对应于设置声孔（18）表面的金属键合层（7）形成下电极（6）；振膜硅基（9）对应于与背极板硅基（1）相连的表面设有导电振膜，振膜硅基（9）内设有贯通振膜硅基（9）的深坑（14），所述深坑（14）位于声孔（18）的正上方，且深坑（14）与声孔（18）对应分布；振膜硅基（9）对应于设置振膜的表面键合安装于金属键合层（7）上，导电振膜通过金属键合层（7）与CMOS电路（2）电连接，导电振膜与下电极（6）间隙配合。