| 发明名称 | 对PDSOI器件单粒子翻转的仿真分析电路 | ||
| 摘要 | 公开了一种对PDSOI器件单粒子翻转的仿真分析电路包括带电流源的三极管模型和NMOS管；所述三极管模型并联到所述NMOS管上；所述三极管模型的三极管的发射极连接所述NMOS管源极，基极连接所述NMOS管体引出，集电极连接所述NMOS管漏极。本发明通过采用由带电流源的三极管模型和NMOS管等构成的仿真分析电路，提供了一种针对PDSOI器件单粒子翻转仿真分析方法，实现了利用电路仿真代替TCAD二维仿真分析单粒子翻转效应，加大了单粒子翻转分析对象的规模，并使得分析更加快捷，很大程度提高工作效率。 | ||
| 申请公布号 | CN102479270A | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201010566061.6 | 申请日期 | 2010.11.29 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 范紫菡;毕津顺;罗家俊 |
| 分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人 | 王建国 |
| 主权项 | 一种对PDSOI器件单粒子翻转的仿真分析电路，其特征在于，包括：带电流源的三极管模型和NMOS管；所述三极管模型并联到所述NMOS管上；所述三极管模型的三极管的发射极连接所述NMOS管源极，基极连接所述NMOS管体引出，集电极连接所述NMOS管漏极。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 | ||