| 发明名称 | 晶体管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种晶体管及其制作方法，该方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有掩埋绝缘层和半导体层；刻蚀所述半导体层和掩埋绝缘层，在所述半导体层和掩埋绝缘层内形成暴露出所述半导体衬底的沟槽；在所述沟槽的侧壁形成掩埋侧墙；在所述半导体层上形成外延层，所述外延层填充满所述沟槽；在所述外延层上形成栅极结构，所述栅极结构位于所述沟槽和掩埋侧墙上方；以所述栅极结构为掩膜，进行离子注入，在所述半导体层和外延层内形成源区和漏区，所述源区和漏区分别位于所述掩埋侧墙两侧。本发明改善了晶体管的短沟道效应，提高了晶体管的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102479709A | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201010560075.7 | 申请日期 | 2010.11.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 赵猛 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有掩埋绝缘层和半导体层；刻蚀所述半导体层和掩埋绝缘层，在所述半导体层和掩埋绝缘层内形成暴露出所述半导体衬底的沟槽；在所述沟槽的侧壁形成掩埋侧墙；在所述半导体层上形成外延层，所述外延层填充满所述沟槽；在所述外延层上形成栅极结构，所述栅极结构位于所述沟槽和掩埋侧墙上方；以所述栅极结构为掩膜，进行离子注入，在所述半导体层和外延层内形成源区和漏区，所述源区和漏区分别位于所述掩埋侧墙两侧。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 | ||