薄膜晶体管、有源矩阵背板及其制造方法和显示器

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管、有源矩阵背板及其制造方法和显示器。该薄膜晶体管的制造方法包括制备第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的流程，其中同时制备第一和第二有源层的流程包括：形成非晶硅有源层薄膜，并通过构图工艺形成包括第一和第二有源层的图案；涂覆光刻胶，并通过曝光显影工艺在第二有源层的部分区域上方形成接触过孔；在形成上述图案的光刻胶上形成诱导金属薄膜，进行热处理，以使第二有源层在接触过孔处诱导金属薄膜的诱导下发生横向金属诱导结晶，从非晶硅材质结晶成为低温多晶硅材质；剥离光刻胶及其上的诱导金属薄膜。本发明通过横向金属诱导结晶工艺，能够同时且同层制备非晶硅TFT和低温多晶硅TFT的有源层。

主权项

一种薄膜晶体管的制造方法，包括制备第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的流程，所述第一薄膜晶体管包括第一栅电极、第一有源层、第一漏电极和第一源电极，所述第二薄膜晶体管包括第二栅电极、第二有源层、第二漏电极和第二源电极，其特征在于，同时制备所述第一有源层和第二有源层的流程包括：形成非晶硅有源层薄膜，并通过构图工艺形成包括第一有源层和第二有源层的图案；在形成上述图案后涂覆光刻胶，并通过曝光显影工艺在所述第二有源层的部分区域上方形成接触过孔；在形成上述图案的光刻胶上形成诱导金属薄膜，进行热处理，以使所述第二有源层在所述接触过孔处诱导金属薄膜的诱导下发生横向金属诱导结晶，从非晶硅材质结晶成为低温多晶硅材质；剥离光刻胶及其上的诱导金属薄膜。