| 发明名称 | 半导体发光元件的制造方法、灯、电子设备和机械装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体发光元件的制造方法，具备：在第1有机金属化学气相沉积装置中，在基板上层叠第一n型半导体层的第1工序；和在第2有机金属化学气相沉积装置中，在所述第一n型半导体层上依次层叠再生长层、第二n型半导体层、活性层和p型半导体层的第2工序。 | ||
| 申请公布号 | CN102484177A | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201080039686.5 | 申请日期 | 2010.07.09 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 酒井浩光 |
| 分类号 | H01L33/12(2006.01)I;F21S2/00(2006.01)I;H01L33/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 段承恩;杨光军 |
| 主权项 | 一种半导体发光元件的制造方法，其特征在于，具有：在第1有机金属化学气相沉积装置中，在基板上层叠第一n型半导体层的第1工序；和在第2有机金属化学气相沉积装置中，在所述第一n型半导体层上依次层叠再生长层、第二n型半导体层、活性层和p型半导体层的第2工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||