一种SOI光子晶体器件

摘要

本发明提供了一种以SOI为材料制作二维光子晶体器件的方法，该方法较好的利用了SOI材料本身的特性，通过选择合适的顶层硅和埋层厚度、孔径和周期，采用光学光刻和ICP-DRIE刻蚀成功制作出了光子晶体器件。

主权项

一种SOI光子晶体器件，是以SOI为材料制作出的二维光子晶体器件，其特征是，所述光子晶体器件的制作方法为：a)制作二维光子晶体的初始SOI材料；b)在SOI顶层硅上涂光刻胶，进行前烘处理；c)为在光刻胶上放置掩膜板；d)通过曝光将掩膜板上的图样转移到光刻胶上；e)进行显影操作；f)再次后烘，对光刻胶进行固化坚膜如图；g)采用反应离子束刻蚀去掉被曝光的顶层硅部分；h)刻蚀埋氧层；i)利用干法或者湿法去除光刻胶层，得到二维光子晶体器件。