硅胶保护的发光二极管芯片及其制造方法

摘要

本发明公开了一种硅胶保护的发光二极管芯片及其制造方法。本发明使在生产过程中可以避免或减少出现粘片、堵塞吸嘴等现象，从而提高生产效率。本发明采用的该硅胶保护的发光二极管芯片包括衬底以及在衬底上形成的多层半导体结构，在多层半导体结构的表面上形成有硅胶层，在所述硅胶层表面还形成有用于防止硅胶层与其它工件黏附的薄膜。本发明提出的方法包括：在硅衬底上形成多层半导体结构；在所述多层半导体结构的表面上形成覆盖的硅胶层；在所述硅胶层的表面上形成有一层用于防止硅胶层与其它工件黏附的薄膜。本发明可以使得芯片在划片、翻膜、分选以及封装等过程中的黏附问题得到了有效的解决。

主权项

一种硅胶保护的发光二极管芯片，包括衬底以及在衬底上形成的多层半导体结构，其特征在于：在多层半导体结构的表面上形成有可光刻硅胶层，在所述硅胶层表面还形成有通过等离子体对于硅胶层进行处理而得到的、用于防止硅胶层与其它工件黏附的薄膜。