| 发明名称 | 氮化镓系化合物半导体发光元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氮化镓系化合物半导体发光元件，其具备n-GaN层(102)、p-GaN层(107)、以及位于n-GaN层(102)和p-GaN层(107)之间的GaN/InGaN多重量子阱活性层(105)，GaN/InGaN多重量子阱活性层(105)是包括InxGa1-xN(0＜x＜1)阱层(104)的m面半导体层，该InxGa1-xN(0＜x＜1)阱层(104)具有6nm以上且17nm以下的厚度，GaN/InGaN多重量子阱活性层(105)中所包含的氧原子的浓度在3.0×1017cm-3以下。 | ||
| 申请公布号 | CN102484180A | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201080038204.4 | 申请日期 | 2010.07.07 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 加藤亮;吉田俊治;横川俊哉 |
| 分类号 | H01L33/16(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L33/06(2006.01)I;H01L33/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 一种半导体发光元件，其具备：n型氮化镓系化合物半导体层；p型氮化镓系化合物半导体层；以及发光层，其位于所述n型氮化镓系化合物半导体层和所述p型氮化镓系化合物半导体层之间，所述发光层是包括InxGa1‑xN阱层的m面半导体层，该InxGa1‑xN阱层具有6nm以上且17nm以下的厚度，其中0＜x＜1，所述发光层中所包含的氧原子的浓度在3.0×1017cm‑3以下。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||