| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种薄膜晶体管，它包括：栅电极；半导体层，其面对栅电极设置并包括含有镓和锌中的至少一种以及铟的氧化物；栅绝缘膜，设置在栅电极和半导体层之间；以及源电极和漏电极，它们电连接到半导体层并彼此分隔开。半导体层包括三维地散布在半导体层中并具有原子排列周期性的多个微晶体。 | ||
| 申请公布号 | CN102484135A | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN200980161251.5 | 申请日期 | 2009.09.04 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 上田知正;中野慎太郎;齐藤信美;原雄二郎;内古闲修一 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 刘佳 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括：栅电极；半导体层，其面对所述栅电极设置并包括含有镓和锌中的至少一种以及铟的氧化物；栅绝缘膜，设置在所述栅电极和所述半导体层之间；以及源电极和漏电极，它们电连接到所述半导体层并彼此分隔开，所述半导体层包括三维地散布在所述半导体层中并具有原子排列周期性的多个微晶体。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||