发明名称 |
半导体器件及半导体器件的制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种低成本且高通用性的半导体器件及其制造方法,以及提高了成品率的半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件具有如下结构,即包括具有多个不同形状或不同大小的凹部的基体、以及配置在凹部中且适合于凹部的多个IC芯片。可以通过使用具有多个凹部的基体和适合于凹部的IC芯片,以低成本制造选择性地装上适合用途的功能的半导体器件。 |
申请公布号 |
CN101000907B |
申请公布日期 |
2012.05.30 |
申请号 |
CN200710003898.8 |
申请日期 |
2007.01.10 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
细谷邦雄;藤川最史;冈本知广 |
分类号 |
H01L25/00(2006.01)I;H01L23/13(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L21/58(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;G06K19/077(2006.01)I |
主分类号 |
H01L25/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
张鑫 |
主权项 |
一种半导体器件,包括:由树脂形成的基体,所述基体包括具有不同形状或不同大小的多个凹部,且其中,所述基体包括在所述多个凹部的至少一个之中的由所述树脂形成的突起部;以及多个IC芯片,所述多个IC芯片配置在未形成所述突起部的所述凹部中,且所述多个IC芯片适合于所述凹部,其中,每个所述IC芯片包括玻璃衬底和形成于所述玻璃衬底上的薄膜晶体管。 |
地址 |
日本神奈川县 |