在半导体工件上电镀金属的电镀装置

摘要

本发明揭示了在半导体工件上电镀金属的电镀装置，是一种具有多个阳极区域和阴极区域的电镀装置。每个区域中的电解液流体场分别由独立的流量控制装置独立控制。提供一表面有褶状通道的气泡收集器，通过收集小气泡并使其聚并，以排出残余气体，实现气体的移除。在气泡收集器中提供一缓冲区域以允许不稳定的微型气泡溶解。

主权项

一种电镀装置，包括：下部腔，包括数个由数个隔离墙分隔的阳极区域，其中每个阳极区域形成一阳极电解液循环体系；上部腔，包括数个由所述数个隔离墙分隔的阴极区域，其中每个阴极区域中的阴极电解液循环体系被独立控制；气泡收集器，设置在下部腔和上部腔之间，其中该气泡收集器收集气泡，迫使气泡聚并，并引导聚并后的气泡移出所述电镀装置；所述气泡收集器包括：一个或多个框架，支持一个或多个可透性膜；一路径，供聚并后的气泡向上移动至一气体出口；其中，最接近下部腔的可透性膜具有V形或者倒V形横截面的褶状通道，气泡在所述褶状通道中被收集并被强迫聚并；以及最接近上部腔的可透性膜收集穿过所述最接近下部腔的可透性膜的微型气泡；流体分散装置，设置在上部腔的顶部；基材固持装置，位于所述流体分散装置的上方，用于固持所述基材并向所述基材传导电流；具有多个独立控制的通道的电源；电解液流量控制装置，用于控制所述上部腔和所述下部腔中的各个区域的电解液；数个流体分配子系统，用于分配电解液至所述上部腔和所述下部腔中。