宽光谱大功率的半导体超辐射发光二极管的制作方法

摘要

本发明公开了一种宽光谱大功率的半导体超辐射发光二极管，包括：衬底，以及位于所述衬底上的增益介质，该增益介质采用能带结构空间变化的半导体材料形成。本发明同时公开了一种制作宽光谱大功率的半导体超辐射发光二极管的方法。利用本发明，由于采用能带结构空间变化的半导体材料作为增益介质，超辐射发光二极管辐射光具有内在的非相关性，所以在较大的输出功率下，仍然可以保持较宽光谱输出。

主权项

一种制作宽光谱大功率的半导体超辐射发光二极管的方法，其特征在于，该方法包括：在衬底(1)上淀积一层二氧化硅(2)；在二氧化硅(2)上沿〔011〕晶向光刻并腐蚀出平行的宽度渐变的三角形二氧化硅图形(3)；在衬底(1)上未淀积二氧化硅(2)之处依次外延生长n‑InP缓冲层(4)、i‑InGaAsP下限制层(5)、i‑InGaAsP/InGaAsP多量子阱层(6)、i‑InGaAsP上限制层(7)、p‑InP层(8)、p‑InGaAs接触层(9)；腐蚀掉衬底(1)上构成三角形二氧化硅图形(3)的二氧化硅；沿〔011〕晶向光刻并腐蚀p‑InP层(8)和p‑InGaAs接触层(9)，形成脊型结构(10)；将上述步骤得到的外延片解理成管芯(11)，在管芯(11)的两端面进行镀膜，形成宽光谱大功率的半导体超辐射发光二极管。