用作磨料的氧化铈粉末和含有该粉末的CMP浆料

摘要

本发明公开了用作磨料的氧化铈粉末；含有该粉末的CMP浆料；以及使用该CMP浆料的浅槽隔离(STI)法。至少两种通过使用具有不同晶体结构的碳酸铈制备的氧化铈以一适当比例混合，并用作CMP浆料的磨料，从而调节CMP浆料所需的抛光特性。另外，在所公开的制备碳酸铈的方法中，碳酸铈的晶体结构可简单地控制。基于在用作磨料的氧化铈中、抛光特性提高的情况取决于碳酸铈的晶体结构这一发现，至少一种抛光特性——如二氧化硅层的抛光速率、氮化硅层的抛光速率、二氧化硅层和氮化硅层之间的抛光选择性和WIWNU——可通过使用至少两种选自以下的氧化铈作为CMP浆料的磨料、并调节所述氧化铈的混合比例来调节，所述氧化铈选自(i)一种使用镧石-(Ce)晶体结构的碳酸铈制备的氧化铈；(ii)一种使用正交晶体结构的碳酸铈制备的氧化铈；以及(iii)一种使用六方晶体结构的碳酸铈制备的氧化铈。

主权项

CMP浆料，其包含至少两种选自以下的氧化铈作为磨料：(i)一种通过在400‑1200℃煅烧镧石‑(Ce)晶体结构的碳酸铈制备的氧化铈；(ii)一种通过在400‑1200℃煅烧正交晶体结构的碳酸铈制备的氧化铈；以及(iii)一种通过在400‑1200℃煅烧六方晶体结构的碳酸铈制备的氧化铈；还包含一种分散剂和水；其中用作磨料的氧化铈粉末以每100重量份的浆料0.1至50重量份的量使用；所述分散剂以每100重量份的磨料用氧化铈粉末0.5至10重量份的量使用。