| 发明名称 | 一种抗总剂量辐照的CMOS集成电路 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种抗总剂量辐照的CMOS集成电路，属于电子技术领域。本发明抗总剂量辐照的CMOS集成电路包括NMOS器件和PMOS器件，器件之间通过沟槽隔离，其特征在于，所述沟槽用隔离材料一和隔离材料二的混合物填充，所述隔离材料一在总剂量辐照下产生固定正电荷，所述隔离材料二在总剂量辐照下产生固定负电荷，所述混合物在总剂量辐照下显示弱电荷性或电中性。本发明可用于航天、军事、核电和高能物理等与总剂量辐照相关的行业。 | ||
| 申请公布号 | CN101667580B | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN200910093413.8 | 申请日期 | 2009.09.30 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 刘文;黄如 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L23/552(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人 | 余功勋 |
| 主权项 | 一种抗总剂量辐照的CMOS集成电路，包括NMOS器件和PMOS器件，器件之间通过沟槽隔离，其特征在于，所述沟槽用隔离材料一和隔离材料二的混合物填充，所述隔离材料一在总剂量辐照下产生固定正电荷，所述隔离材料二在总剂量辐照下产生固定负电荷，所述混合物在总剂量辐照下显示弱电荷性。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学 | ||