| 摘要 |
1. Запоминающее устройство, содержащее ! сегментированную разрядную линию для доступа к данным в памяти; ! упомянутая разрядная линия имеет сегменты, управляемые повторителем с защелкой. ! 2. Запоминающее устройство по п.1, в котором упомянутый повторитель с защелкой управляется определенными разрядами адреса памяти. ! 3. Запоминающее устройство по п.2, в котором упомянутый повторитель с защелкой дополнительно управляется определителями, причем упомянутые определители выбираются из сигналов разрешения чтения и сигналов разрешения записи. ! 4. Запоминающее устройство по п.2, дополнительно содержащее защелку для сохранения состояния упомянутого повторителя с защелкой при множественных доступах. ! 5. Способ снижения мощности электронного ЗУ, содержащий ! выбор сегмента разрядной линии на основе адресных разрядов доступа к памяти и ! обновление данных повторителя с защелкой на упомянутой разрядной линии для запуска выбранного сегмента разрядной линии. ! 6. Способ по п.5, дополнительно содержащий сохранение обновленного значения упомянутого повторителя с защелкой при множественном доступе. ! 7. Способ по п.5, дополнительно содержащий задержку упомянутого выбора на основе некоторых определителей в дополнение к упомянутым адресным разрядам. ! 8. Способ функционирования запоминающего устройства, содержащий ! сегментирование определенных секторов памяти таким образом, что менее чем вся помянутая память опрашивается для осуществления определенных доступов к памяти; и ! осуществление разрешения только для необходимых секторов памяти в течение цикла. ! 9. Способ по п.8, в котором упомянутое сегментирование включает |
