| 摘要 |
1. Мощный высокоскоростной фотодиод, содержащий мезаструктуру на основе p-n перехода, состоящую из последовательно расположенных и контактирующих между собой по всей поверхности полупроводниковых слоев: легированного полупроводникового слоя с проводимостью первого типа, нелегированного полупроводникового слоя, легированного полупроводникового слоя с проводимостью второго типа; первый металлический электрод, образующий омический контакт с легированным полупроводниковым слоем с проводимостью первого типа; второй металлический электрод, образующий омический контакт с легированным полупроводниковым слоем с проводимостью второго типа; диэлектрический слой, изолирующий боковую поверхность мезаструктуры, отличающийся тем, что первый и второй металлические электроды выполнены в виде балок, расположенных в плоскости, параллельной полупроводниковым слоям, и изолированных от боковой поверхности мезаструктуры. ! 2. Мощный высокоскоростной фотодиод, содержащий мезаструктуру на основе барьера Шоттки, состоящую из последовательно расположенных и контактирующих между собой по всей поверхности легированного полупроводникового слоя и нелегированного полупроводникового слоя; первый металлический электрод, образующий омический контакт с легированным полупроводниковым слоем; второй металлический электрод, образующий барьер Шоттки с нелегированным полупроводниковым слоем; диэлектрический слой, изолирующий боковую поверхность мезаструктуры, отличающийся тем, что первый и второй металлические электроды выполнены в виде балок, расположенных в плоскости, параллельной полупроводниковым слоям, и изолирова |
