发明名称 СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ АЛМАЗНЫХ ПОКРЫТИЙ НА ИЗДЕЛИЯХ ИЗ ВОЛЬФРАМА
摘要 Способ получения наноструктурированных алмазных покрытий на изделиях из вольфрама, включающий регулирование температуры поверхности роста алмаза так, что все градиенты температуры на поверхности роста алмаза не превышали 20°С, и выращивание на поверхности роста алмазного покрытия химическим осаждением из газовой фазы в СВЧ-плазме при температуре роста в камере осаждения, атмосфера которой содержит 5-30% метана на единицу объема Н2, отличающийся тем, что алмазное покрытие получают на поверхности изделий из вольфрама и оно является поликристаллическим.
申请公布号 RU2010146545(A) 申请公布日期 2012.05.27
申请号 RU20100146545 申请日期 2010.11.16
申请人 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет" (ТГУ) (RU) 发明人 Сачков Виктор Иванович (RU);Казарян Мишик Айразатович (RU);Шаманин Игорь Владимирович (RU);Ворожцов Александр Борисович (RU);Буйновский Александр Сергеевич (RU);Софронов Владимир Леонидович (RU);Буряков Тимофей Игоревич (RU);Сосновский Сергей Александрович (RU);Савинов Геннадий Леонидович (RU)
分类号 B82B3/00;C23C16/513;C30B25/02;C30B29/04;C30B30/00 主分类号 B82B3/00
代理机构 代理人
主权项
地址