发明名称 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ АЛМАЗНЫХ ПОКРЫТИЙ НА ИЗДЕЛИЯХ ИЗ ВОЛЬФРАМА |
摘要 |
Способ получения наноструктурированных алмазных покрытий на изделиях из вольфрама, включающий регулирование температуры поверхности роста алмаза так, что все градиенты температуры на поверхности роста алмаза не превышали 20°С, и выращивание на поверхности роста алмазного покрытия химическим осаждением из газовой фазы в СВЧ-плазме при температуре роста в камере осаждения, атмосфера которой содержит 5-30% метана на единицу объема Н2, отличающийся тем, что алмазное покрытие получают на поверхности изделий из вольфрама и оно является поликристаллическим. |
申请公布号 |
RU2010146545(A) |
申请公布日期 |
2012.05.27 |
申请号 |
RU20100146545 |
申请日期 |
2010.11.16 |
申请人 |
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет" (ТГУ) (RU) |
发明人 |
Сачков Виктор Иванович (RU);Казарян Мишик Айразатович (RU);Шаманин Игорь Владимирович (RU);Ворожцов Александр Борисович (RU);Буйновский Александр Сергеевич (RU);Софронов Владимир Леонидович (RU);Буряков Тимофей Игоревич (RU);Сосновский Сергей Александрович (RU);Савинов Геннадий Леонидович (RU) |
分类号 |
B82B3/00;C23C16/513;C30B25/02;C30B29/04;C30B30/00 |
主分类号 |
B82B3/00 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|